| 类型：功率模块 | 品牌：ABB | 型号：5SHY4045L0006 |
| 电源电压：4500V | 用途：电能控制电路中的大功率 | 批号：3BHB030310R0001 |
3BHB030310R0001 5SHY4045L0006 IGCT功率半导体器件
3BHB030310R0001 5SHY4045L0006 IGCT功率半导体器件
3BHB030310R0001 5SHY4045L0006 IGCT功率半导体器件
IGCT集成门极换流晶闸管(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一种中压变频器开发的用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体开关器件(集成门极换流晶闸管=门极换流晶闸管+门极单元)。1997年由ABB公司提出。IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT 具有电流大、阻断电压高、开关频***、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品***，有很好的应用前景。己用于电力系统电网装置（100MVA）和的中功率工业驱动装置（5MW)IGCT在中压变频器领域内成功的应用了11年的时间（到09年为止)，由于IGCT的高速开关能力无需缓冲电路，因而所需的功率元件数目更少，运行的可靠性大大增高。
IGCT集 IGBT（绝缘门极双极性晶体管）的高速开关特性和GTO（门极关断品闸管）的高阻断电压和低导通损耗特性于一体，一般触发信号通过光纤传输到IGCT单元。在ACS6000的有缘整流单元的相模块里，每相模块由IGCT 和二极管、钳位电容组成，由独立的门极供电单元GUSP为其提供能源。
1. MCT （MOS Control led Thyristor）：MOS控制晶闸管MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将 MOSFET 的高阻抗、低驱动图 MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电流特型结合在一起，形成大功率、高压、快速全控型器件。实质上MCT 是一个MOS 门极控制的晶闸管。它可在门极上加一窄脉冲使其导通或关断，它由无数单胞并联而成。它与GTR，MOSFET，IGBT，GTO等器件相比，有如下优点：（1）电压高、电流容量大，阻断电压已达3000V，峰值电流达1000A，可关断电流密度为6000kA/m2；
2. （2）通态压降小、损耗小，通态压降约为11V；
3. （3）极高的dv/dt和di/dt耐量，dv/dt已达2kV/s ，di/dt为2kA/s；
4. （4）开关速度快， 开关损耗小，开通时间约200ns，1000V 器件可在2s 内关断；
5. 2. IGCT（Intergrated Gate Commutated Thyristors）IGCT是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中，是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。
6. IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点。在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT芯片在不串不并的情况下，二电平逆变器功率0.5~3MW，三电平逆变器1~6MW；若反向二极管分离，不与IGCT集成在一起，二电平逆变器功率可扩至4/5MW，三电平扩至9MW。
7. 目前，IGCT已经商品化， ABB公司制造的IGCT产品的性能参数为4［1］5kV/4kA ，研制水平为6 kV/ 4 kA。1998 年，日本三菱公司也开发了直径为88mm的GCT的晶闸管IGCT损耗低、开关快速等优点***了它能可靠、高效率地用于300kW~ 10MW变流器，而不需要串联和并联。
8. 3. IEGT（ Injection Enhanced Gate Transistor） 电子注入增强栅晶体管IEGT是耐压达4kV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。IEGT 具有作为MOS 系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及采用沟槽结构和多芯片并联而自均流的特性，使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。另外，通过模块封装方式还可提供众多派生产品，在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。日本东芝开发的 IECT 利用了电子注入增***应，使之兼有IGBT和GTO 两者的优点：低饱和压降，安全工作区（吸收回路容量仅为 GTO 的十分之一左右），低栅极驱动功率（比 GTO低两个数量级）和较高的工作频率。器件采用平板压接式电机引出结构，可靠性高，性能已经达到4.5 kV/ 1500A 的水平。
5SHX0445D0001
3BHL000462R0020
3BHL000181P0001
3BHL000495P0003
3BHL000259P0001
3BHL000382P0101
5SHY 3545L0006 IGCT MODULE
5SHX2645L0002 IGCT RC MODULE 91
IGCT MODULE 5SHY 3545L0009
5SHY 3545L0010 IGCT MODULE
5SHX 1960L0005, 91mm RC-IGCT
RC-IGCT 5SHX 1960L0006, 91MM GVC736
5SHX 0660F0002, 51MM RC-IGCT
5SHY 4045L0001 IGCT MODULE
5SHX 1060H0003, 68MM RC-IGCT
IGCT MODULE 5SHY 3545L0016, 4500V, 91MM
IGCT 4500V, 91MM, 5SHY 4045L0003
4500V, 91MM, 5SHY 4045L0004GVC736 IGCT
TRIC IGCT 5SHY5055L0002 5.5KV 91MM
IGCT 4500V, 91MM, 5SHY 3545L0014
IGCT MODULE 5SHY 3545L0014, 4500V, 91MM
IGCT REPLACEMENT TOOL IGCT
